MOSFET Infineon, canale N 200 V, 77.5 mΩ Miglioramento, 24 A, TO-263, Foro passante IRFS4620TRLPBF

Codice RS:: 257-9436
Codice costruttore:: IRFS4620TRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 200 V, 77.5 mΩ Miglioramento, 24 A, TO-263, Foro passante IRFS4620TRLPBF

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Codice RS:: 257-9436
Codice costruttore:: IRFS4620TRLPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	24A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	200V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Foro passante
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	77.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	144W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	25nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 24A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V
	Tipo di package TO-263
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Foro passante
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 77.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 144W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - IRFS4620TRLPBF

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 200 V, corrente di drenaggio continua massima 24 A - IRFS4620TRLPBF

Questo MOSFET è un transistor di potenza a canale N in modalità di potenziamento progettato per attività di commutazione ad alta tensione e conversione di potenza. È fornito in un contenitore TO-263 adatto per gruppi di alimentazione montati su scheda e funziona in un intervallo di temperatura esteso per ambienti difficili. Il dispositivo incorpora un diodo intrinseco con una tensione diretta specificata ed è conforme alla direttiva RoHS.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di 200 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente continua di 24 A supporta una gestione del carico sostanziale
• L'RDS(on) di 77.5 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La dissipazione di potenza di 144 W consente un carico termico elevato
• La carica tipica del gate a 25 nC garantisce requisiti di azionamento prevedibili

Applicazioni

• Adatto per gli stadi dei convertitori CC-CC ad alta tensione
• Ideale per interruttori di uscita di alimentazione a commutazione
• Utilizzato con controller di azionamento motore in gruppi di alimentazione
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nell'elettronica industriale
• Adatto per la gestione dell'alimentazione in sistemi non automobilistici

Quali sono le considerazioni sull'azionamento del gate da prendere in considerazione?

Aspettarsi una carica di gate totale tipica di 25 nC a VGS

scegliere un driver in grado di generare e dissipare una corrente sufficiente per ottenere la velocità di commutazione desiderata.

In che modo la capacità termica influisce sulla progettazione dei circuiti stampati?

Con una dissipazione di potenza massima di 144 W, garantire un'adeguata area di rame o dissipatore e vie termiche per gestire il trasferimento di calore dalla giunzione all'ambiente.

Quali sono i limiti per le tensioni di controllo e di segnale?

Il gate può essere azionato fino a 20 V rispetto alla sorgente

le escursioni gate-source non devono superare questo valore.

Quale intervallo di temperatura può tollerare durante il funzionamento?

Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C per applicazioni ad ampio intervallo di temperatura.

Quali sono le caratteristiche del diodo importanti per la conduzione inversa?

Il diodo intrinseco presenta una tensione diretta di 1,3 V che influisce sulle perdite di conduzione durante gli eventi di corrente inversa.