MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 105 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 168-6013
- Codice costruttore:
- IRFS4020TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 168-6013
- Codice costruttore:
- IRFS4020TRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 105mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 9.65mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.83 mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 105mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 18nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 9.65mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.83 mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon della serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 18 A, dissipazione di potenza massima di 100 W - IRFS4020TRLPBF
Questo MOSFET è stato progettato per ottimizzare le prestazioni nelle applicazioni di amplificatori audio di Classe D. Le tecniche di elaborazione avanzate consentono di ottenere una bassa resistenza di accensione, migliorando al contempo l'efficienza, la distorsione armonica totale (THD) e le interferenze elettromagnetiche (EMI). Può funzionare efficacemente a temperature elevate, rendendolo adatto a vari ambienti.
Caratteristiche e vantaggi
• Progettato per l'amplificazione audio di classe D ad alta efficienza
• Il basso Rds(on) migliora l'efficienza complessiva
• La temperatura di giunzione operativa fino a 175°C garantisce la robustezza del prodotto
• La capacità di ripetere le valanghe protegge dai picchi di tensione
Applicazioni
• Utilizzato negli amplificatori audio di classe D per migliorare la qualità del suono
• Ideale per l'alimentazione ad alta corrente
• Adatto per apparecchiature audio consumer e professionali
• Impiegato nei sistemi audio automobilistici ad alte prestazioni
Qual è la corrente di drenaggio massima continua?
Il dispositivo può gestire una corrente di drain continua massima di 18A a 25°C.
Questo dispositivo può funzionare ad alte temperature?
Sì, è stato progettato per funzionare efficacemente a temperature fino a 175°C.
In quali configurazioni può essere utilizzato?
È adatto per le configurazioni a mezzo ponte negli amplificatori audio, in grado di fornire potenze significative.
In che modo la bassa carica del gate influisce sulle prestazioni?
La bassa carica di gate aumenta l'efficienza e riduce il tempo di accensione, migliorando così le prestazioni complessive dell'amplificatore.
È compatibile con la tecnologia a montaggio superficiale?
Sì, questo dispositivo è confezionato in un fattore di forma D2PAK, ideale per le applicazioni di montaggio superficiale.
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