MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 150 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF640NSTRLPBF
- Codice RS:
- 831-2853
- Codice Distrelec:
- 304-44-448
- Codice costruttore:
- IRF640NSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 831-2853
- Codice Distrelec:
- 304-44-448
- Codice costruttore:
- IRF640NSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 150mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 67nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 9.65mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 150mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 67nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 9.65mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- KR
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 18 A, dissipazione di potenza massima di 150 W - IRF640NSTRLPBF
Questo MOSFET è essenziale per una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni, controllando il flusso di corrente elettrica nei circuiti per garantire prestazioni e affidabilità. Le sue caratteristiche di robustezza lo rendono particolarmente adatto ai sistemi di automazione ed elettronici dell'elettronica contemporanea.
Caratteristiche e vantaggi
• La configurazione a canale N supporta il funzionamento in modalità enhancement
• Corrente di drenaggio continua massima di 18A
• Tensione di picco drain-source di 200 V per diverse applicazioni
• Pacchetto D2PAK progettato per il montaggio in superficie
• La bassa Rds(on) di 150mΩ riduce la perdita di energia durante il funzionamento
• Elevata temperatura massima di esercizio di +175°C per vari ambienti
Applicazioni
• Gestione dell'alimentazione nell'elettronica automobilistica
• Alimentatori industriali per sistemi di automazione
• Controllo dei motori tra i diversi settori
• Sistemi di energia rinnovabile per la conversione energetica
• Progetti di inverter di potenza ad alta frequenza
Qual è la tensione massima di drain-source?
La tensione massima di drain-source è di 200 V e garantisce flessibilità per le applicazioni ad alta tensione.
Come viene gestita la dissipazione del calore durante il funzionamento?
Questo MOSFET offre una capacità di dissipazione di potenza pari a 150 W e il suo design del contenitore favorisce un'efficace gestione del calore in presenza di carichi elevati.
Quali sono le implicazioni dell'intervallo di tensione di soglia del gate?
Con una tensione di soglia di gate massima di 4V e minima di 2V, offre agli ingegneri una gamma versatile per le applicazioni di commutazione.
Questo componente può essere utilizzato in configurazioni parallele?
Sì, può essere facilmente messo in parallelo grazie alla sua bassa resistenza di accensione, che lo rende adatto ad applicazioni ad alta corrente.
Come deve essere saldato per ottenere prestazioni ottimali?
La temperatura di saldatura non deve superare i 300°C per 10 secondi per garantire una corretta installazione senza danneggiare il MOSFET.
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