MOSFET Infineon, canale N, 150 mΩ, 18 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 831-2853
Codice costruttore:: IRF640NSTRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 150 mΩ, 18 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 831-2853
Codice costruttore:: IRF640NSTRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 18 A, dissipazione di potenza massima di 150 W - IRF640NSTRLPBF

Questo MOSFET è essenziale per una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni, controllando il flusso di corrente elettrica nei circuiti per garantire prestazioni e affidabilità. Le sue caratteristiche di robustezza lo rendono particolarmente adatto ai sistemi di automazione ed elettronici dell'elettronica contemporanea.

Caratteristiche e vantaggi

• La configurazione a canale N supporta il funzionamento in modalità enhancement
• Corrente di drenaggio continua massima di 18A
• Tensione di picco drain-source di 200 V per diverse applicazioni
• Pacchetto D2PAK progettato per il montaggio in superficie
• La bassa Rds(on) di 150mΩ riduce la perdita di energia durante il funzionamento
• Elevata temperatura massima di esercizio di +175°C per vari ambienti

Applicazioni

• Gestione dell'alimentazione nell'elettronica automobilistica
• Alimentatori industriali per sistemi di automazione
• Controllo dei motori tra i diversi settori
• Sistemi di energia rinnovabile per la conversione energetica
• Progetti di inverter di potenza ad alta frequenza

Qual è la tensione massima di drain-source?

La tensione massima di drain-source è di 200 V e garantisce flessibilità per le applicazioni ad alta tensione.

Come viene gestita la dissipazione del calore durante il funzionamento?

Questo MOSFET offre una capacità di dissipazione di potenza pari a 150 W e il suo design del contenitore favorisce un'efficace gestione del calore in presenza di carichi elevati.

Quali sono le implicazioni dell'intervallo di tensione di soglia del gate?

Con una tensione di soglia di gate massima di 4V e minima di 2V, offre agli ingegneri una gamma versatile per le applicazioni di commutazione.

Questo componente può essere utilizzato in configurazioni parallele?

Sì, può essere facilmente messo in parallelo grazie alla sua bassa resistenza di accensione, che lo rende adatto ad applicazioni ad alta corrente.

Come deve essere saldato per ottenere prestazioni ottimali?

La temperatura di saldatura non deve superare i 300°C per 10 secondi per garantire una corretta installazione senza danneggiare il MOSFET.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	18 A
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	150 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	150 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	9.65mm
Lunghezza	10.67mm
Carica gate tipica @ Vgs	67 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Altezza	4.83mm
Tensione diretta del diodo	1.3V
Minima temperatura operativa	-55 °C