MOSFET Infineon, canale N 200 V, 150 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
165-5658
Codice costruttore:
IRF640NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

150mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

67nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.83mm

Larghezza

9.65mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 18 A, dissipazione di potenza massima di 150 W - IRF640NSTRLPBF


Questo MOSFET è essenziale per una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni, controllando il flusso di corrente elettrica nei circuiti per garantire prestazioni e affidabilità. Le sue caratteristiche di robustezza lo rendono particolarmente adatto ai sistemi di automazione ed elettronici dell'elettronica contemporanea.

Caratteristiche e vantaggi


• La configurazione a canale N supporta il funzionamento in modalità enhancement

• Corrente di drenaggio continua massima di 18A

• Tensione di picco drain-source di 200 V per diverse applicazioni

• Pacchetto D2PAK progettato per il montaggio in superficie

• La bassa Rds(on) di 150mΩ riduce la perdita di energia durante il funzionamento

• Elevata temperatura massima di esercizio di +175°C per vari ambienti

Applicazioni


• Gestione dell'alimentazione nell'elettronica automobilistica

• Alimentatori industriali per sistemi di automazione

• Controllo dei motori tra i diversi settori

• Sistemi di energia rinnovabile per la conversione energetica

• Progetti di inverter di potenza ad alta frequenza

Qual è la tensione massima di drain-source?


La tensione massima di drain-source è di 200 V e garantisce flessibilità per le applicazioni ad alta tensione.

Come viene gestita la dissipazione del calore durante il funzionamento?


Questo MOSFET offre una capacità di dissipazione di potenza pari a 150 W e il suo design del contenitore favorisce un'efficace gestione del calore in presenza di carichi elevati.

Quali sono le implicazioni dell'intervallo di tensione di soglia del gate?


Con una tensione di soglia di gate massima di 4V e minima di 2V, offre agli ingegneri una gamma versatile per le applicazioni di commutazione.

Questo componente può essere utilizzato in configurazioni parallele?


Sì, può essere facilmente messo in parallelo grazie alla sua bassa resistenza di accensione, che lo rende adatto ad applicazioni ad alta corrente.

Come deve essere saldato per ottenere prestazioni ottimali?


La temperatura di saldatura non deve superare i 300°C per 10 secondi per garantire una corretta installazione senza danneggiare il MOSFET.

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