MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 150 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

488,00 €

(IVA esclusa)

592,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 30 novembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per bobina*
800 - 8000,61 €488,00 €
1600 - 16000,58 €464,00 €
2400 +0,543 €434,40 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-5658
Codice costruttore:
IRF640NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

150mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

67nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

9.65mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 18 A, dissipazione di potenza massima di 150 W - IRF640NSTRLPBF


Questo MOSFET è essenziale per una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni, controllando il flusso di corrente elettrica nei circuiti per garantire prestazioni e affidabilità. Le sue caratteristiche di robustezza lo rendono particolarmente adatto ai sistemi di automazione ed elettronici dell'elettronica contemporanea.

Caratteristiche e vantaggi


• La configurazione a canale N supporta il funzionamento in modalità enhancement

• Corrente di drenaggio continua massima di 18A

• Tensione di picco drain-source di 200 V per diverse applicazioni

• Pacchetto D2PAK progettato per il montaggio in superficie

• La bassa Rds(on) di 150mΩ riduce la perdita di energia durante il funzionamento

• Elevata temperatura massima di esercizio di +175°C per vari ambienti

Applicazioni


• Gestione dell'alimentazione nell'elettronica automobilistica

• Alimentatori industriali per sistemi di automazione

• Controllo dei motori tra i diversi settori

• Sistemi di energia rinnovabile per la conversione energetica

• Progetti di inverter di potenza ad alta frequenza

Qual è la tensione massima di drain-source?


La tensione massima di drain-source è di 200 V e garantisce flessibilità per le applicazioni ad alta tensione.

Come viene gestita la dissipazione del calore durante il funzionamento?


Questo MOSFET offre una capacità di dissipazione di potenza pari a 150 W e il suo design del contenitore favorisce un'efficace gestione del calore in presenza di carichi elevati.

Quali sono le implicazioni dell'intervallo di tensione di soglia del gate?


Con una tensione di soglia di gate massima di 4V e minima di 2V, offre agli ingegneri una gamma versatile per le applicazioni di commutazione.

Questo componente può essere utilizzato in configurazioni parallele?


Sì, può essere facilmente messo in parallelo grazie alla sua bassa resistenza di accensione, che lo rende adatto ad applicazioni ad alta corrente.

Come deve essere saldato per ottenere prestazioni ottimali?


La temperatura di saldatura non deve superare i 300°C per 10 secondi per garantire una corretta installazione senza danneggiare il MOSFET.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.