MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 150 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF640NPBF
- Codice RS:
- 541-0014
- Codice Distrelec:
- 303-41-285
- Codice costruttore:
- IRF640NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
1,86 €
(IVA esclusa)
2,27 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 166 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
- Più 960 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,86 € |
| 10 - 49 | 1,70 € |
| 50 + | 1,58 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 541-0014
- Codice Distrelec:
- 303-41-285
- Codice costruttore:
- IRF640NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 150mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 67nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.69mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 150mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 67nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.69mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 8.77mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 18 A, dissipazione di potenza massima di 150 W - IRF640NPBF
Questo MOSFET è destinato ad applicazioni di commutazione ad alta efficienza e rappresenta una soluzione affidabile per vari sistemi elettronici. La sua configurazione a canale N garantisce una resistenza di accensione minima e un'elevata affidabilità, rendendolo adatto alla gestione dell'alimentazione in ambienti industriali e commerciali. Questo componente è stato progettato specificamente per gli utenti dei settori dell'automazione e dell'elettricità, garantendo prestazioni ottimali nelle loro applicazioni.
Caratteristiche e vantaggi
• Corrente di scarico continua fino a 18A per una gestione robusta della potenza
• Funziona efficacemente a livelli di tensione fino a 200 V, per una maggiore versatilità
• La bassa resistenza di accensione riduce al minimo la perdita di energia durante il funzionamento
• I requisiti di azionamento semplificati facilitano l'integrazione nei circuiti
• Completamente classificato per le valanghe per una maggiore sicurezza e prestazioni
Applicazioni
• Utilizzato nei circuiti di alimentazione per l'automazione industriale
• Adatto per il controllo dei motori nella robotica
• Ideale per i sistemi di energia rinnovabile come gli inverter solari
• Impiegato in sistemi di commutazione di potenza per apparecchiature elettriche
• Utilizzato negli stadi di amplificazione delle apparecchiature audio
Come influisce la temperatura sulle prestazioni?
Il dispositivo funziona in modo efficiente da -55°C a +175°C, consentendo l'utilizzo in vari ambienti termici senza compromettere le prestazioni.
Qual è il significato della tensione massima gate-source?
Il MOSFET supporta livelli di tensione gate-source di ±20V, garantendo un funzionamento sicuro e prevenendo danni durante le operazioni di commutazione.
Questo componente è in grado di gestire picchi di tensione improvvisi?
Sì, è completamente classificato per le valanghe, il che gli consente di sopportare brevi picchi di tensione, migliorando le sue prestazioni nelle applicazioni più difficili.
Qual è l'impatto dell'on-resistenza sull'efficienza complessiva?
La bassa resistenza di accensione riduce notevolmente la dissipazione di potenza durante il funzionamento, migliorando così l'efficienza energetica nelle applicazioni di gestione dell'alimentazione.
È adatto per applicazioni a montaggio superficiale?
Il pacchetto TO-220AB è stato progettato specificamente per il montaggio a foro passante, garantendo un'efficace dissipazione del calore, piuttosto che per il montaggio in superficie.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 150 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 150 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 100 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 150 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRF640NSTRLPBF
- MOSFET Infineon 100 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFB4020PBF
- MOSFET Infineon 56 mΩ Miglioramento 7 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 180 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 45 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie