MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 150 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF640NPBF

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Codice RS:
541-0014
Codice Distrelec:
303-41-285
Codice costruttore:
IRF640NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

150mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

67nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Altezza

8.77mm

Larghezza

4.69 mm

Standard/Approvazioni

No

Distrelec Product Id

30341285

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 18 A, dissipazione di potenza massima di 150 W - IRF640NPBF


Questo MOSFET è destinato ad applicazioni di commutazione ad alta efficienza e rappresenta una soluzione affidabile per vari sistemi elettronici. La sua configurazione a canale N garantisce una resistenza di accensione minima e un'elevata affidabilità, rendendolo adatto alla gestione dell'alimentazione in ambienti industriali e commerciali. Questo componente è stato progettato specificamente per gli utenti dei settori dell'automazione e dell'elettricità, garantendo prestazioni ottimali nelle loro applicazioni.

Caratteristiche e vantaggi


• Corrente di scarico continua fino a 18A per una gestione robusta della potenza

• Funziona efficacemente a livelli di tensione fino a 200 V, per una maggiore versatilità

• La bassa resistenza di accensione riduce al minimo la perdita di energia durante il funzionamento

• I requisiti di azionamento semplificati facilitano l'integrazione nei circuiti

• Completamente classificato per le valanghe per una maggiore sicurezza e prestazioni

Applicazioni


• Utilizzato nei circuiti di alimentazione per l'automazione industriale

• Adatto per il controllo dei motori nella robotica

• Ideale per i sistemi di energia rinnovabile come gli inverter solari

• Impiegato in sistemi di commutazione di potenza per apparecchiature elettriche

• Utilizzato negli stadi di amplificazione delle apparecchiature audio

Come influisce la temperatura sulle prestazioni?


Il dispositivo funziona in modo efficiente da -55°C a +175°C, consentendo l'utilizzo in vari ambienti termici senza compromettere le prestazioni.

Qual è il significato della tensione massima gate-source?


Il MOSFET supporta livelli di tensione gate-source di ±20V, garantendo un funzionamento sicuro e prevenendo danni durante le operazioni di commutazione.

Questo componente è in grado di gestire picchi di tensione improvvisi?


Sì, è completamente classificato per le valanghe, il che gli consente di sopportare brevi picchi di tensione, migliorando le sue prestazioni nelle applicazioni più difficili.

Qual è l'impatto dell'on-resistenza sull'efficienza complessiva?


La bassa resistenza di accensione riduce notevolmente la dissipazione di potenza durante il funzionamento, migliorando così l'efficienza energetica nelle applicazioni di gestione dell'alimentazione.

È adatto per applicazioni a montaggio superficiale?


Il pacchetto TO-220AB è stato progettato specificamente per il montaggio a foro passante, garantendo un'efficace dissipazione del calore, piuttosto che per il montaggio in superficie.

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