MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 150 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF640NPBF

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Codice RS:
541-0014
Codice Distrelec:
303-41-285
Codice costruttore:
IRF640NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

150mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

67nC

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

4.69 mm

Altezza

8.77mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

30341285

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 18 A, dissipazione di potenza massima di 150 W - IRF640NPBF


Questo MOSFET è destinato ad applicazioni di commutazione ad alta efficienza e rappresenta una soluzione affidabile per vari sistemi elettronici. La sua configurazione a canale N garantisce una resistenza di accensione minima e un'elevata affidabilità, rendendolo adatto alla gestione dell'alimentazione in ambienti industriali e commerciali. Questo componente è stato progettato specificamente per gli utenti dei settori dell'automazione e dell'elettricità, garantendo prestazioni ottimali nelle loro applicazioni.

Caratteristiche e vantaggi


• Corrente di scarico continua fino a 18A per una gestione robusta della potenza

• Funziona efficacemente a livelli di tensione fino a 200 V, per una maggiore versatilità

• La bassa resistenza di accensione riduce al minimo la perdita di energia durante il funzionamento

• I requisiti di azionamento semplificati facilitano l'integrazione nei circuiti

• Completamente classificato per le valanghe per una maggiore sicurezza e prestazioni

Applicazioni


• Utilizzato nei circuiti di alimentazione per l'automazione industriale

• Adatto per il controllo dei motori nella robotica

• Ideale per i sistemi di energia rinnovabile come gli inverter solari

• Impiegato in sistemi di commutazione di potenza per apparecchiature elettriche

• Utilizzato negli stadi di amplificazione delle apparecchiature audio

Come influisce la temperatura sulle prestazioni?


Il dispositivo funziona in modo efficiente da -55°C a +175°C, consentendo l'utilizzo in vari ambienti termici senza compromettere le prestazioni.

Qual è il significato della tensione massima gate-source?


Il MOSFET supporta livelli di tensione gate-source di ±20V, garantendo un funzionamento sicuro e prevenendo danni durante le operazioni di commutazione.

Questo componente è in grado di gestire picchi di tensione improvvisi?


Sì, è completamente classificato per le valanghe, il che gli consente di sopportare brevi picchi di tensione, migliorando le sue prestazioni nelle applicazioni più difficili.

Qual è l'impatto dell'on-resistenza sull'efficienza complessiva?


La bassa resistenza di accensione riduce notevolmente la dissipazione di potenza durante il funzionamento, migliorando così l'efficienza energetica nelle applicazioni di gestione dell'alimentazione.

È adatto per applicazioni a montaggio superficiale?


Il pacchetto TO-220AB è stato progettato specificamente per il montaggio a foro passante, garantendo un'efficace dissipazione del calore, piuttosto che per il montaggio in superficie.

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