MOSFET Infineon, canale N 200 V, 100 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRFB4020PBF
- Codice RS:
- 688-6939
- Codice Distrelec:
- 304-43-452
- Codice costruttore:
- IRFB4020PBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 688-6939
- Codice Distrelec:
- 304-43-452
- Codice costruttore:
- IRFB4020PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 100mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 18nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 9.02mm | |
| Larghezza | 4.82mm | |
| Lunghezza | 10.66mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 18nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 9.02mm | ||
Larghezza 4.82mm | ||
Lunghezza 10.66mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima della sorgente di drenaggio di 200 V, corrente di drenaggio continua massima di 18 A - IRFB4020PBF
Questo MOSFET è un transistor di commutazione di potenza progettato per applicazioni ad alta tensione e corrente elevata in cui è richiesta una robusta resistenza termica. Funziona come dispositivo di potenziamento a canale N in un pacchetto TO-220 a foro passante, offrendo una soluzione pratica per stadi di potenza discreti e circuiti di commutazione montati su scheda in un ampio intervallo di temperatura.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale di drenaggio di 200 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 18 A supporta correnti di carico sostanziali
• La dissipazione di potenza di 100 W consente una gestione della potenza elevata
• Rds(on) di 100 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La carica di gate tipica di 18 nC consente transizioni di commutazione più veloci
• La tensione diretta di 1,3 V riduce la caduta di conduzione del diodo durante il recupero
• La corrente di drenaggio continua di 18 A supporta correnti di carico sostanziali
• La dissipazione di potenza di 100 W consente una gestione della potenza elevata
• Rds(on) di 100 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La carica di gate tipica di 18 nC consente transizioni di commutazione più veloci
• La tensione diretta di 1,3 V riduce la caduta di conduzione del diodo durante il recupero
Applicazioni
• Adatto per fasi a mezzo ponte con azionamento a motore
• Ideale per alimentatori switching offline
• Utilizzato con convertitori di potenza che richiedono il montaggio a foro passante
• Può essere utilizzato per azionamenti a relè e a solenoide ad alta tensione
• Adatto per prototipi di laboratorio ed esperimenti di alimentazione da banco
• Ideale per alimentatori switching offline
• Utilizzato con convertitori di potenza che richiedono il montaggio a foro passante
• Può essere utilizzato per azionamenti a relè e a solenoide ad alta tensione
• Adatto per prototipi di laboratorio ed esperimenti di alimentazione da banco
Quali sono i limiti di tensione gate che i progettisti devono rispettare per un funzionamento sicuro?
La tensione gate-sorgente non deve superare ±20 V per evitare di danneggiare l'ossido gate e per mantenere un comportamento di commutazione affidabile.
Come si comporta il dispositivo a temperature estreme?
È classificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione termica mantenendo caratteristiche elettriche specifiche.
Quali considerazioni sul contenitore influenzano il layout e il raffreddamento del circuito stampato?
Il fattore di forma a foro passante TO-220 fornisce una singola linguetta di montaggio isolata e consente il fissaggio diretto a un dissipatore o a un telaio per una migliore gestione termica.
In che modo il diodo corpo influisce sulla scelta della topologia di commutazione?
Il diodo intrinseco con una caduta in avanti di 1,3 V deve essere preso in considerazione nei progetti con eventi di recupero inverso per gestire la dissipazione e determinare i requisiti snubber.
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