MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 41 mΩ Miglioramento, 77.5 A, 3 Pin, TO-247, Superficie IPW60R041P6FKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4721
Codice costruttore:
IPW60R041P6FKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

77.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

481W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

170nC

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

21.1mm

Lunghezza

16.13mm

Altezza

5.21mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon di Cool MOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. Il modello 600V C7 è la prima tecnologia mai realizzata con RDS(ON)*A inferiore a 1Ohm*mm².

Placcatura senza piombo; Conformità RoHS

Eccellente resistenza termica testata al 100% con effetto valanga

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-23

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