MOSFET Infineon, canale N 650 V, 37 mΩ Miglioramento, 236 A, 3 Pin, TO-247, Superficie

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Codice RS:
219-6020
Codice costruttore:
IPW60R037CSFDXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

236A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS CSFD

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

37mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

245W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

136nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

21.1mm

Lunghezza

16.13mm

Altezza

5.21mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a supergiunzione CoolMOS IPW60R037CSFD Infineon è un dispositivo ottimizzato progettato per soddisfare i segmenti di mercato della ricarica EV a bordo scheda. Grazie alla bassa carica di gate (Qg) e al migliore comportamento di commutazione, offre la massima efficienza nel mercato target. Inoltre, viene fornito con un diodo integrato a corpo rapido e una carica di recupero inverso (Qrr) estremamente ridotta che porta alla massima affidabilità nelle topologie risonanti. Grazie a queste caratteristiche, il modello IPW60R037CSFD soddisfa gli standard di efficienza e affidabilità del mercato delle stazioni di ricarica EV a bordo scheda e supporta inoltre soluzioni ad alta densità di potenza.

Diodo corpo ultra-rapido

Carica di recupero inverso (Qrr) migliore della categoria

Diodo inverso dv/dt e robustezza dif/dt migliorati

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