MOSFET Infineon, canale N 600 V, 120 mΩ Miglioramento, 26 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB60R120P7ATMA1
- Codice RS:
- 214-4368
- Codice costruttore:
- IPB60R120P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-4368
- Codice costruttore:
- IPB60R120P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 26A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 120mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 95W | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.02mm | |
| Altezza | 4.5mm | |
| Larghezza | 9.27mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 26A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 120mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 95W | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.02mm | ||
Altezza 4.5mm | ||
Larghezza 9.27mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET CoolMOS Infineon serie P7 da 600 V, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 26 A - IPB60R120P7ATMA1
Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per attività di commutazione e conversione di potenza in ambienti termici impegnativi. Funziona in un intervallo di temperatura esteso ed è progettato per l'assemblaggio a montaggio superficiale nei circuiti elettronici di potenza in cui sono richiesti un blocco ad alta tensione e una notevole capacità di corrente continua.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione di drenaggio di 600 V consente progetti di sistemi ad alta tensione
• La corrente continua di 26 A supporta una gestione robusta del carico
• L'Rds(on) di 120 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica di gate tipica di 36 nC consente una dimensionamento dell'unità prevedibile
• La dissipazione di potenza massima di 95 W consente un'elevata potenza
• Limiti di caduta della tensione diretta del diodo di 0,9 V nei circuiti sincroni
• La corrente continua di 26 A supporta una gestione robusta del carico
• L'Rds(on) di 120 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica di gate tipica di 36 nC consente una dimensionamento dell'unità prevedibile
• La dissipazione di potenza massima di 95 W consente un'elevata potenza
• Limiti di caduta della tensione diretta del diodo di 0,9 V nei circuiti sincroni
Applicazioni
• Adatto per alimentatori switching offline
• Ideale per convertitori risonanti e a commutazione rigida
• Utilizzato con le estremità frontali dell'azionamento del motore ad alta tensione
• Può essere utilizzato per guide di alimentazione ausiliarie in apparecchiature industriali
• Adatto per armadi elettronici ad alta temperatura
• Ideale per convertitori risonanti e a commutazione rigida
• Utilizzato con le estremità frontali dell'azionamento del motore ad alta tensione
• Può essere utilizzato per guide di alimentazione ausiliarie in apparecchiature industriali
• Adatto per armadi elettronici ad alta temperatura
Quale tipo di contenitore utilizza per il montaggio su scheda?
Viene fornito in un contenitore TO-263 configurato per il montaggio superficiale, facilitando la conduzione termica su un circuito stampato.
In che modo il dispositivo tollera temperature estreme durante il funzionamento?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampie oscillazioni termiche.
Quali limitazioni dell'azionamento del gate devo osservare?
La tensione nominale massima da gate a sorgente è di 20 V, pertanto i circuiti di azionamento devono rimanere entro questa soglia per evitare danni al gate.
Quale comportamento di commutazione influisce sulle decisioni di layout?
La carica gate tipica del dispositivo di 36 nC e il suo valore Rds(on) influenzano le esigenze di corrente gate driver e la larghezza del rame per ridurre al minimo le perdite I2R.
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