MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 120 mΩ Miglioramento, 26 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB60R120P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4368
Codice costruttore:
IPB60R120P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

95W

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.02mm

Larghezza

9.27 mm

Altezza

4.5mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS Infineon 600V continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore RonxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma di generazione Cool MOS™ 7th ne garantiscono un'elevata efficienza.

È dotato di un diodo robusto

La RG integrata riduce la sensibilità di oscillazione del MOSFET

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