MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 5.9 mΩ, 200 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRL1404ZSTRLPBF
- Codice RS:
- 214-4468
- Codice Distrelec:
- 304-39-425
- Codice costruttore:
- IRL1404ZSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
11,04 €
(IVA esclusa)
13,47 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 6250 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 + | 1,104 € | 11,04 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-4468
- Codice Distrelec:
- 304-39-425
- Codice costruttore:
- IRL1404ZSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 200A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.9mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 230W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 110nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 200A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.9mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 230W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 110nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Questa Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questa struttura sono una temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliori valori nominali dell'effetto valanga.
È senza piombo
Link consigliati
- MOSFET Infineon 5.9 mΩ 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 77.5 mΩ TO-263
- MOSFET Infineon 77.5 mΩ TO-263 IRFS4620TRLPBF
- MOSFET Infineon 26 mΩ TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 54 mΩ TO-263, Superficie
- MOSFET Infineon 26 mΩ TO-263, Superficie IRFS4227TRLPBF
- MOSFET Infineon 54 mΩ TO-263, Superficie IRFS38N20DTRLP
- MOSFET Infineon 11 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
