MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 5.9 mΩ, 200 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRL1404ZSTRLPBF
- Codice RS:
- 214-4468
- Codice costruttore:
- IRL1404ZSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-4468
- Codice costruttore:
- IRL1404ZSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 200A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.9mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 230W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 110nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Distrelec Product Id | 304-39-425 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 200A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.9mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 230W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 110nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Distrelec Product Id 304-39-425 | ||
Questa Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questa struttura sono una temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliori valori nominali dell'effetto valanga.
È senza piombo
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