MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 13 mΩ, 82 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF2807STRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4444
Codice costruttore:
IRF2807STRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

82A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

160nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

230W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-39-413

Questo MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio combinato con l'elevata velocità di commutazione e robustezza il design del dispositivo fornisce un dispositivo affidabile ed efficiente

È completamente classificato con effetto valanga

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