MOSFET Vishay, canale Canale N 1200 V, 45 mΩ N, 52 A, 7 Pin, TO 263-7L, Superficie MXPQ120A045SE-1GE3

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Codice RS:
790-411
Codice costruttore:
MXPQ120A045SE-1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

52A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Tipo di package

TO 263-7L

Serie

MaxSiC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

268W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

82nC

Tensione diretta Vf

4.9V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.5mm

Lunghezza

9.23mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

10.28mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
TW
Il MOSFET SiC a canale N da 1200 V di Vishay è progettato per le applicazioni di potenza più esigenti, combinando velocità, affidabilità e conformità. La sua struttura avanzata garantisce prestazioni efficienti nel rispetto di rigorosi standard automobilistici e ambientali.

Certificazione AEC-Q101 per l'affidabilità di livello automobilistico

Velocità di commutazione rapida per una maggiore efficienza

Senza alogeni per un uso più sicuro ed ecologico

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