MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 1.7 mΩ N, 18 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IMBG120R220M1HXTMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
249-6954
Codice costruttore:
IMBG120R220M1HXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

IMBG

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET in carburo di silicio Infineon riduce la complessità del sistema. È azionato direttamente dal controller fly-back. Miglioramento dell'efficienza e riduzione dello sforzo di raffreddamento. Abilitazione frequenza più elevata.

Perdite di commutazione molto basse

Tempo di resistenza a corto circuito 3 microsecondi

dV/dt a pieno controllo

Tensione di soglia del gate di riferimento, VGS(th) = 4,5 V

Robusto contro l'accensione parassita, può essere applicata una tensione gate di spegnimento 0 V

Diodo corpo robusto per la commutazione rigida

Tecnologia di interconnessione XT per le migliori prestazioni termiche della categoria

Distanza di ingombro e di passaggio del pacchetto > 6,1mm

Pin di rilevamento per ottimizzare le prestazioni di commutazione

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