MOSFET Infineon, canale N 100 V, 1.7 mΩ N, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

2655,00 €

(IVA esclusa)

3239,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +2,655 €2.655,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
214-4363
Codice costruttore:
IPB017N10N5LFATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

313W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

195nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

9.45mm

Altezza

4.57mm

Lunghezza

10.31mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 180 A - IPB017N10N5LFATMA1


Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N ad alta corrente progettato per applicazioni di potenza impegnative. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è fornito in un contenitore TO-263 a montaggio superficiale per l'integrazione su assemblaggi compatti. Il dispositivo è progettato per l'uso nei casi in cui è richiesta una conduzione efficiente e una commutazione robusta in sistemi di classe 100 V.

Caratteristiche e vantaggi:


• Rds(on) di 1,7 mΩ che consente basse perdite di conduzione e una maggiore efficienza
• Corrente di drenaggio continua di 180 A che supporta correnti di carico pesanti
• Valore nominale drain-source 100 V per applicazioni di commutazione ad alta tensione
• Dissipazione di potenza di 313 W che consente una gestione prolungata del carico termico
• Carica gate tipica di 195 nC che facilita la dinamica gate-drive controllata
• Tolleranza gate di 20 V che consente tensioni di gate drive flessibili

Applicazioni


• Adatto per convertitori CC-CC negli alimentatori industriali
• Ideale per stadi di rettifica sincrona ad alta corrente
• Utilizzato con azionamenti per motori che richiedono robusti elementi di commutazione
• Può essere utilizzato per la distribuzione di energia nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Adatto per moduli di alimentazione server e alimentatori per data center

Quale intervallo di temperatura può tollerare durante il funzionamento?


Funziona da -55 °C a 150 °C, coprendo ambienti industriali e integrati estesi.

Quale contenitore devono tenere conto i progettisti quando posizionano i circuiti stampati?


Viene fornito in un contenitore TO-263 a montaggio superficiale che richiede modelli di terra termici per un'efficace dissipazione del calore.

Quanti pin fornisce il dispositivo per il collegamento?


Il componente è dotato di sette pin per alloggiare collegamenti di alimentazione e gate insieme agli ancoraggi del contenitore.

Che tipo di canale utilizza e come influisce sulla progettazione dei circuiti?


Si tratta di un dispositivo a canale N, tipico per le configurazioni di commutazione low-side e raddrizzatore sincrono.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.