MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ N, 273 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IPB017N10N5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
242-5817
Codice costruttore:
IPB017N10N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

273A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è progettato appositamente per la rettifica sincrona in blocchi di telecomunicazioni, tra cui Or-ing, hot swap e protezione della batteria, nonché per le applicazioni di alimentazione per server. Il dispositivo ha un RDS(on) inferiore del 22% rispetto ai dispositivi simili. Uno dei maggiori contributi a questo FOM leader del settore è la bassa resistenza in stato attivo che offre il massimo livello di densità di potenza ed efficienza.

Ottimizzato per la rettifica sincrona

Ideale per l'elevata frequenza

di commutazione Riduzione della capacità di uscita fino al 44% RDS(on) fino al 43% rispetto alla generazione precedente

Efficienza del sistema Massima

perdite di conduzione e commutazione ridotte

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