MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ N, 273 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB60R070CFD7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
242-5830
Codice costruttore:
IPB60R070CFD7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

273A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

iPB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il MOSFET a super giunzione Infineon viene fornito in un contenitore D2PAK ed è ideale per le topologie risonanti in applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, stazioni di ricarica solare ed EV, in cui consente un notevole miglioramento dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Come successore della famiglia di MOSFET CFD2 SJ, viene fornito con una carica di gate ridotta, un comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso fino al 69% ridotta rispetto ai concorrenti.

Diodo corpo ultraveloce, carica di recupero inverso

(Qrr)

migliore della categoria, diodo inverso dv/dt e dif/dt migliorato, robustezza

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eccellente robustezza di commutazione rigida

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