MOSFET Infineon, canale N, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Il MOSFET Infineon è particolarmente adatto per azionamenti a bassa tensione come carrelli elevatori a forche e e-scooter, nonché per le telecomunicazioni e le applicazioni solari. I prodotti offrono una riduzione innovativa di R DS(on) (fino al 25% rispetto all'alternativa successiva in SuperSO8) e Q rr senza compromettere FOM gd e FOM OSS, riducendo efficacemente gli sforzi di progettazione ottimizzando al contempo l'efficienza del sistema.

R DS(on) inferiore senza compromettere FOMgd e FOMoss
Carica di uscita inferiore Carica di recupero
inverso ultrabassa (Q rr = 26 nC in SuperSO8) Temperatura d'esercizio
175 °C
Placcatura conduttore senza piombo
conforme a RoHS Tensione di scarico-sorgente
di scarico 150 V
Corrente di scarico massima 120 A