MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ N, 273 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB048N15N5ATMA1
- Codice RS:
- 242-5819
- Codice costruttore:
- IPB048N15N5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 242-5819
- Codice costruttore:
- IPB048N15N5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 273A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 273A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Infineon è particolarmente adatto per azionamenti a bassa tensione come carrelli elevatori a forche e e-scooter, nonché per le telecomunicazioni e le applicazioni solari. I prodotti offrono una riduzione innovativa di R DS(on) (fino al 25% rispetto all'alternativa successiva in SuperSO8) e Q rr senza compromettere FOM gd e FOM OSS, riducendo efficacemente gli sforzi di progettazione ottimizzando al contempo l'efficienza del sistema.
R DS(on) inferiore senza compromettere FOMgd e FOMoss
Carica di uscita inferiore Carica di recupero
inverso ultrabassa (Q rr = 26 nC in SuperSO8) Temperatura d'esercizio
175 °C
Placcatura conduttore senza piombo
conforme a RoHS Tensione di scarico-sorgente
di scarico 150 V
Corrente di scarico massima 120 A
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