MOSFET Infineon, canale N 100 V, 1.7 mΩ N, 273 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 242-5818
- Codice costruttore:
- IPB048N15N5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 242-5818
- Codice costruttore:
- IPB048N15N5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 273A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | iPB | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 273A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie iPB | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie iPB, tensione di sorgente di drenaggio 100 V, corrente di drenaggio continua 273 A - IPB048N15N5ATMA1
Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta corrente progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale in cui sono richieste una conduzione efficiente e una resilienza termica. Funziona in un intervallo di temperatura esteso ed è progettato per l'uso in ambienti impegnativi di conversione di potenza e azionamento di motori, fornendo una soluzione compatta in un contenitore TO-263 per assemblaggi montati su scheda.
Caratteristiche e vantaggi:
• La bassa Rds(on) di 1,7 mΩ riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza
• L'elevata corrente di drenaggio continua di 273 A supporta carichi a corrente elevata
• La Vds massima di 100 V consente un robusto margine di tensione nelle fasi di commutazione
• La dissipazione di potenza di 81 W consente un carico termico sostenuto in configurazioni ristrette
• La carica gate tipica di 80 nC bilancia la velocità di commutazione e i requisiti di azionamento
• La potenza nominale gate-source di 20 V consente un notevole spazio di comando per il controllo
• L'elevata corrente di drenaggio continua di 273 A supporta carichi a corrente elevata
• La Vds massima di 100 V consente un robusto margine di tensione nelle fasi di commutazione
• La dissipazione di potenza di 81 W consente un carico termico sostenuto in configurazioni ristrette
• La carica gate tipica di 80 nC bilancia la velocità di commutazione e i requisiti di azionamento
• La potenza nominale gate-source di 20 V consente un notevole spazio di comando per il controllo
Applicazioni
• Adatto per le fasi di conversione di potenza negli inverter industriali
• Ideale per circuiti di azionamento di motori ad alta corrente su circuiti stampati
• Utilizzato con topologie di rettifica sincrona negli alimentatori
• Può essere utilizzato per sistemi di gestione della batteria che richiedono corrente elevata
• Consigliato per moduli interruttore compatti montati su scheda che richiedono componenti a montaggio superficiale
• Ideale per circuiti di azionamento di motori ad alta corrente su circuiti stampati
• Utilizzato con topologie di rettifica sincrona negli alimentatori
• Può essere utilizzato per sistemi di gestione della batteria che richiedono corrente elevata
• Consigliato per moduli interruttore compatti montati su scheda che richiedono componenti a montaggio superficiale
In quale intervallo di temperatura può funzionare in modo affidabile?
È classificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, adattandosi ad ambienti ad alta temperatura.
In che modo il contenitore influisce sulle prestazioni termiche?
Il contenitore a montaggio superficiale TO-263 fornisce un percorso a bassa resistenza termica alla scheda per un'efficace dissipazione del calore durante il funzionamento ad alta potenza.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere osservate?
Il dispositivo accetta fino a 20 V sul gate rispetto alla sorgente e ha una carica totale tipica del gate di 80 nC, pertanto la capacità del driver deve corrispondere alla frequenza di commutazione e ai tempi di transizione desiderati.
È adatto per la qualificazione automobilistica?
Non è specificato come dispositivo di livello automobilistico e pertanto non deve essere considerato conforme agli standard specifici per il settore automobilistico.
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