MOSFET Infineon, canale N 100 V, 1.7 mΩ N, 273 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

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Codice RS:
242-5818
Codice costruttore:
IPB048N15N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

273A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

iPB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie iPB, tensione di sorgente di drenaggio 100 V, corrente di drenaggio continua 273 A - IPB048N15N5ATMA1


Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta corrente progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale in cui sono richieste una conduzione efficiente e una resilienza termica. Funziona in un intervallo di temperatura esteso ed è progettato per l'uso in ambienti impegnativi di conversione di potenza e azionamento di motori, fornendo una soluzione compatta in un contenitore TO-263 per assemblaggi montati su scheda.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassa Rds(on) di 1,7 mΩ riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza
• L'elevata corrente di drenaggio continua di 273 A supporta carichi a corrente elevata
• La Vds massima di 100 V consente un robusto margine di tensione nelle fasi di commutazione
• La dissipazione di potenza di 81 W consente un carico termico sostenuto in configurazioni ristrette
• La carica gate tipica di 80 nC bilancia la velocità di commutazione e i requisiti di azionamento
• La potenza nominale gate-source di 20 V consente un notevole spazio di comando per il controllo

Applicazioni


• Adatto per le fasi di conversione di potenza negli inverter industriali
• Ideale per circuiti di azionamento di motori ad alta corrente su circuiti stampati
• Utilizzato con topologie di rettifica sincrona negli alimentatori
• Può essere utilizzato per sistemi di gestione della batteria che richiedono corrente elevata
• Consigliato per moduli interruttore compatti montati su scheda che richiedono componenti a montaggio superficiale

In quale intervallo di temperatura può funzionare in modo affidabile?


È classificato per funzionare da -55 °C fino a 175 °C, adattandosi ad ambienti ad alta temperatura.

In che modo il contenitore influisce sulle prestazioni termiche?


Il contenitore a montaggio superficiale TO-263 fornisce un percorso a bassa resistenza termica alla scheda per un'efficace dissipazione del calore durante il funzionamento ad alta potenza.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devono essere osservate?


Il dispositivo accetta fino a 20 V sul gate rispetto alla sorgente e ha una carica totale tipica del gate di 80 nC, pertanto la capacità del driver deve corrispondere alla frequenza di commutazione e ai tempi di transizione desiderati.

È adatto per la qualificazione automobilistica?


Non è specificato come dispositivo di livello automobilistico e pertanto non deve essere considerato conforme agli standard specifici per il settore automobilistico.

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