MOSFET Infineon, canale N, 273 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Il MOSFET Infineon è progettato appositamente per la rettifica sincrona in blocchi di telecomunicazioni, tra cui Or-ing, hot swap e protezione della batteria, nonché per le applicazioni di alimentazione per server. Il dispositivo ha un RDS(on) inferiore del 22% rispetto ai dispositivi simili. Uno dei maggiori contributi a questo FOM leader del settore è la bassa resistenza in stato attivo che offre il massimo livello di densità di potenza ed efficienza.

Ottimizzato per la rettifica sincrona
Ideale per l'elevata frequenza
di commutazione Riduzione della capacità di uscita fino al 44% RDS(on) fino al 43% rispetto alla generazione precedente
Efficienza del sistema Massima
perdite di conduzione e commutazione ridotte