MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ N, 273 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

2546,00 €

(IVA esclusa)

3106,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 26 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +2,546 €2.546,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
242-5829
Codice costruttore:
IPB60R070CFD7ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

273A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
MY
Il MOSFET a super giunzione Infineon viene fornito in un contenitore D2PAK ed è ideale per le topologie risonanti in applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, stazioni di ricarica solare ed EV, in cui consente un notevole miglioramento dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Come successore della famiglia di MOSFET CFD2 SJ, viene fornito con una carica di gate ridotta, un comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso fino al 69% ridotta rispetto ai concorrenti.

Diodo corpo ultraveloce, carica di recupero inverso

(Qrr)

migliore della categoria, diodo inverso dv/dt e dif/dt migliorato, robustezza

FOM RDS(on) x Qg ed EOSS,

eccellente robustezza di commutazione rigida

Link consigliati