MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ N, 273 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
242-5820
Codice costruttore:
IPB048N15N5LFATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

273A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

iPB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è particolarmente adatto per azionamenti a bassa tensione come carrelli elevatori a forche e e-scooter, nonché per le telecomunicazioni e le applicazioni solari. I prodotti offrono una riduzione innovativa di R DS(on) (fino al 25% rispetto all'alternativa successiva in SuperSO8) e Q rr senza compromettere FOM gd e FOM OSS, riducendo efficacemente gli sforzi di progettazione ottimizzando al contempo l'efficienza del sistema.

R DS(on) inferiore senza compromettere FOMgd e FOMoss

Carica di uscita inferiore Carica di recupero

inverso ultrabassa (Q rr = 26 nC in SuperSO8) Temperatura d'esercizio

175 °C

Placcatura conduttore senza piombo

conforme a RoHS Tensione di scarico-sorgente

di scarico 150 V

Corrente di scarico massima 120 A

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