MOSFET Infineon, canale N 100 V, 1.7 mΩ N, 273 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 242-5820
- Codice costruttore:
- IPB048N15N5LFATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
3289,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 3,289 € | 3.289,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 242-5820
- Codice costruttore:
- IPB048N15N5LFATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 273A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 273A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie iPB, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 273 A - IPB048N15N5LFATMA1
Questo MOSFET a canale n è un dispositivo di commutazione di potenza progettato per applicazioni ad alta corrente e alta tensione in cui sono richieste prestazioni termiche ed elettriche robuste. Funziona in un'ampia gamma di ambienti e viene fornito in un contenitore TO-263 a montaggio superficiale adatto per circuiti stampati a gestione termica. Il dispositivo è conforme alla direttiva RoHS ed è destinato a sistemi che richiedono una notevole capacità di drenaggio continuo e un gate drive controllato.
Caratteristiche e vantaggi:
• Resistenza drain-source 100 V che consente la commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 273 A per la gestione di carichi pesanti
• Basso Rds(on) di 1.7 mΩ che riduce le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza di 81 W che supporta il funzionamento ad alta potenza
• Carica totale del gate di 80 nC per un'energia di commutazione prevedibile
• Tensione diretta di 1,2 V che riduce al minimo la caduta di conduzione del diodo
• Corrente di drenaggio continua di 273 A per la gestione di carichi pesanti
• Basso Rds(on) di 1.7 mΩ che riduce le perdite di conduzione
• Dissipazione di potenza di 81 W che supporta il funzionamento ad alta potenza
• Carica totale del gate di 80 nC per un'energia di commutazione prevedibile
• Tensione diretta di 1,2 V che riduce al minimo la caduta di conduzione del diodo
Applicazioni
• Adatto per alimentatori e convertitori ad alta corrente
• Ideale per le fasi di azionamento del motore che richiedono grandi correnti
• Utilizzato per la distribuzione dell'alimentazione del server e la commutazione del bus
• Può essere utilizzato per raddrizzatori e inverter per telecomunicazioni
• Adatto per la commutazione industriale a temperature estreme
• Ideale per le fasi di azionamento del motore che richiedono grandi correnti
• Utilizzato per la distribuzione dell'alimentazione del server e la commutazione del bus
• Può essere utilizzato per raddrizzatori e inverter per telecomunicazioni
• Adatto per la commutazione industriale a temperature estreme
Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati per un funzionamento sicuro?
Il gate non deve superare un limite di 20 V Vgs per evitare danni al gate.
In che modo tollera ambienti termici estremi?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a +150 °C per l'uso in un ampio intervallo di temperatura.
Quale metodo di montaggio è necessario per l'assemblaggio?
Il dispositivo è progettato per il montaggio superficiale in un ingombro TO-263.
Quale comportamento di conduzione possono aspettarsi i progettisti dal diodo intrinseco?
La caratteristica di conduzione diretta è specificata come 1,2 V Vf per il flusso di corrente legato al diodo.
Quale polarità di canale presenta il dispositivo per l'integrazione del circuito?
Utilizza una configurazione a canale N per la commutazione convenzionale high-side o low-side.
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