MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ P, 273 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
243-9265
Codice costruttore:
IPB020N08N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

273A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

P

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N di Infineon è ideale per la commutazione ad alta frequenza. È dotato di un eccellente prodotto di carica del gate (FOM). Tipicamente viene fornito in un sistema di moduli D2PAK. La corrente di drenaggio e la tensione di drenaggio-sorgente del MOSFET di potenza sono rispettivamente 173 A e 80 V

Dissipazione di potenza 300 W

Montaggio superficiale

Ottimizzato per il raddrizzamento sincrono

Riduzione della capacità d'uscita fino al 44%

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