MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 273 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 250-0592
Codice costruttore:: IPB60R060C7ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 273 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

2477,00 €

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Codice RS:: 250-0592
Codice costruttore:: IPB60R060C7ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	273A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	iPB
	Tipo di package	TO-263
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.7mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	81W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	80nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 273A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie iPB
	Tipo di package TO-263
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 81W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - IPB60R060C7ATMA1

Infineon CoolMOS C7 è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di super giunzione (SJ) e ideata dalle tecnologie Infineon. Questa serie combina l'esperienza del principale fornitore di MOSFET SJ con innovazione di alta classe. Il modello C7 da 600 V è la prima tecnologia con RDS(on) A inferiore a 1 Ohm*mm2. È adatto per la commutazione rigida e morbida (PFC e LLC ad alte prestazioni). Ha una maggiore robustezza MOSFET dv/dt fino a 120 V/ns e una maggiore efficienza.

Maggiore efficienza del sistema grazie alle minori perdite di commutazione

Soluzioni con maggiore densità di potenza grazie ai contenitori più piccoli

Adatto per applicazioni quali server, telecomunicazioni e impianti solari

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 273 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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