MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 273 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
242-5824
Codice costruttore:
IPB120N10S405ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

273A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET Infineon offre un contenitore D2PAK ed è ideale per le topologie risonanti in SMPS ad alta potenza, come server, telecomunicazioni e stazioni di ricarica EV, dove consente un notevole miglioramento dell'efficienza.

Canale N - Livello normale - Modalità potenziata

qualificata AEC Q101

MSL1 fino a 260 °C picco di riflusso

175 °C Temperatura d'esercizio

100% testata a valanga

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