MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 1.7 mΩ N, 273 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 243-9267
- Codice costruttore:
- IPB110P06LMATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
1861,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,861 € | 1.861,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 243-9267
- Codice costruttore:
- IPB110P06LMATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 273A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 273A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie iPB, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 273 A - IPB110P06LMATMA1
Questo MOSFET è un interruttore a semiconduttore a canale P progettato per applicazioni ad alta corrente e ad alta tensione, fornito in un contenitore TO-263 a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per la conversione di potenza e le attività di commutazione in cui è richiesta una tolleranza termica e un montaggio compatto.
Caratteristiche e vantaggi:
• La resistenza di accensione molto bassa consente di ridurre le perdite di conduzione
• L'elevata corrente di drenaggio continua supporta la gestione di carichi pesanti
• Il valore nominale drain-source di 100 V consente l'implementazione di tensioni più elevate
• La dissipazione di potenza di 81 W garantisce una robusta capacità termica
• La carica di gate tipica di 80 nC consente una commutazione reattiva
• La conformità alla direttiva RoHS riduce al minimo il contenuto di sostanze pericolose
• L'elevata corrente di drenaggio continua supporta la gestione di carichi pesanti
• Il valore nominale drain-source di 100 V consente l'implementazione di tensioni più elevate
• La dissipazione di potenza di 81 W garantisce una robusta capacità termica
• La carica di gate tipica di 80 nC consente una commutazione reattiva
• La conformità alla direttiva RoHS riduce al minimo il contenuto di sostanze pericolose
Applicazioni
• Adatto per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Utile nelle fasi a valle dell'azionamento del motore che richiedono corrente elevata
• Può essere utilizzato per gli interruttori convertitori CC-CC ad alta tensione
• Ideale per moduli di alimentazione compatti a montaggio superficiale
• Utilizzato per la commutazione rapida in ambienti con carichi transitori
• Utile nelle fasi a valle dell'azionamento del motore che richiedono corrente elevata
• Può essere utilizzato per gli interruttori convertitori CC-CC ad alta tensione
• Ideale per moduli di alimentazione compatti a montaggio superficiale
• Utilizzato per la commutazione rapida in ambienti con carichi transitori
Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati durante l'uso?
La tensione della sorgente gate non deve superare ±20 V per evitare di danneggiare la struttura gate.
In che modo l'intervallo di temperatura influisce sulle opzioni di implementazione?
Il dispositivo funziona da -55 °C a 175 °C, consentendo l'uso sia in condizioni di avviamento a freddo che di temperatura elevata.
Quali considerazioni di montaggio si applicano alle prestazioni termiche?
Utilizzare idonei tamponi termici per circuito stampato e dissipatori di calore con ingombro TO-263 per gestire la dissipazione di 81 W.
In che modo il tipo di canale influisce sulla polarità del circuito?
Essendo un dispositivo a canale P, richiede disposizioni di polarità appropriate per le configurazioni di commutazione high-side.
Quale comportamento di commutazione è indicato dalla sua tensione diretta?
La tensione diretta di 1,1 V riflette la sua caratteristica di conduzione in condizioni di azionamento e carico specifiche.
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