MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 273 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB60R060C7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0593
Codice costruttore:
IPB60R060C7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

273A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon CoolMOS C7 è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio di super giunzione (SJ) e ideata dalle tecnologie Infineon. Questa serie combina l'esperienza del principale fornitore di MOSFET SJ con innovazione di alta classe. Il modello C7 da 600 V è la prima tecnologia con RDS(on) A inferiore a 1 Ohm*mm2. È adatto per la commutazione rigida e morbida (PFC e LLC ad alte prestazioni). Ha una maggiore robustezza MOSFET dv/dt fino a 120 V/ns e una maggiore efficienza.

Maggiore efficienza del sistema grazie alle minori perdite di commutazione

Soluzioni con maggiore densità di potenza grazie ai contenitori più piccoli

Adatto per applicazioni quali server, telecomunicazioni e impianti solari

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