MOSFET Infineon, canale N, 0,0017 Ω, 180 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Il FET lineare OptiMOSTM è un approccio rivoluzionario per evitare il compromesso tra la resistenza allo stato on (R DS(on)) e la capacità di modalità lineare - funzionamento nella regione di saturazione di un MOSFET in modalità migliorata. Offre l'avanguardia R DS(on) di un MOSFET a trincea insieme all'ampia area di funzionamento sicura di un MOSFET planare classico.

•Combinazione di DS(on) a bassa R e ampia area di funzionamento sicura (SOA)

•Corrente d'impulso massima elevata

•Corrente d'impulso continua elevata

•Robusto funzionamento in modalità lineare

•Basse perdite di conduzione

•Maggiore corrente di innesto abilitata per un avvio più rapido e tempi di spegnimento più brevi

•Telecomunicazioni

•Gestione della batteria