MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ N, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IPB017N10N5LFATMA1
- Codice RS:
- 214-4364
- Codice costruttore:
- IPB017N10N5LFATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 214-4364
- Codice costruttore:
- IPB017N10N5LFATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 180A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 313W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 195nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.31mm | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Larghezza | 9.45mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 180A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 313W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 195nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.31mm | ||
Altezza 4.57mm | ||
Larghezza 9.45mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Combinazione di un basso RDS(on) con un'ampia area di funzionamento sicura (SOA)
Il FET lineare OptiMOSTM è un approccio rivoluzionario per evitare il compromesso tra la resistenza allo stato on (R DS(on)) e la capacità di modalità lineare - funzionamento nella regione di saturazione di un MOSFET in modalità migliorata. Offre l'avanguardia R DS(on) di un MOSFET a trincea insieme all'ampia area di funzionamento sicura di un MOSFET planare classico.
Riepilogo delle caratteristiche
•Combinazione di DS(on) a bassa R e ampia area di funzionamento sicura (SOA)
•Corrente d'impulso massima elevata
•Corrente d'impulso continua elevata
Vantaggi
•Robusto funzionamento in modalità lineare
•Basse perdite di conduzione
•Maggiore corrente di innesto abilitata per un avvio più rapido e tempi di spegnimento più brevi
Applicazioni potenziali
•Telecomunicazioni
•Gestione della batteria
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