MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ N, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IPB017N10N5LFATMA1

Codice RS:: 214-4364
Codice costruttore:: IPB017N10N5LFATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ N, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IPB017N10N5LFATMA1

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Codice RS:: 214-4364
Codice costruttore:: IPB017N10N5LFATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	180A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	OptiMOS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	7
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.7mΩ
	Modalità canale	N
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	313W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	195nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	9.45 mm
	Lunghezza	10.31mm
	Altezza	4.57mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 180A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package TO-263
	Serie OptiMOS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 7
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.7mΩ
	Modalità canale N
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 313W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 195nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 9.45 mm
	Lunghezza 10.31mm
	Altezza 4.57mm
	Standard automobilistico No

IPB017N10N5LFATMA1 Datasheet

Combinazione di un basso RDS(on) con un'ampia area di funzionamento sicura (SOA)

Il FET lineare OptiMOSTM è un approccio rivoluzionario per evitare il compromesso tra la resistenza allo stato on (R DS(on)) e la capacità di modalità lineare - funzionamento nella regione di saturazione di un MOSFET in modalità migliorata. Offre l'avanguardia R DS(on) di un MOSFET a trincea insieme all'ampia area di funzionamento sicura di un MOSFET planare classico.

Riepilogo delle caratteristiche

•Combinazione di DS(on) a bassa R e ampia area di funzionamento sicura (SOA)

•Corrente d'impulso massima elevata

•Corrente d'impulso continua elevata

Vantaggi

•Robusto funzionamento in modalità lineare

•Basse perdite di conduzione

•Maggiore corrente di innesto abilitata per un avvio più rapido e tempi di spegnimento più brevi

Applicazioni potenziali

•Telecomunicazioni

•Gestione della batteria