MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ N, 64 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
249-6949
Codice costruttore:
IMBF170R450M1XTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

64A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

IMBF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET in carburo di silicio Infineon riduce la complessità del sistema. È azionato direttamente dal controller fly-back. Miglioramento dell'efficienza e riduzione dello sforzo di raffreddamento. Abilitazione frequenza più elevata.

Materiale semiconduttore rivoluzionario - Carburo di silicio

Ottimizzato per le topologie fly-back

12V/0V di tensione gate-source compatibile con la maggior parte dei controllori fly-back

Perdite di commutazione molto basse

Tensione di soglia di gate di riferimento, VGS(th) = 4,5 V

DV/dt completamente controllabile per l'ottimizzazione delle EMI

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