MOSFET Vishay, canale Canale N 1200 V, 100 mΩ N, 32 A, 7 Pin, TO 263-7L, Superficie MXP120A080SE-T1GE3

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Codice RS:
790-413
Codice costruttore:
MXP120A080SE-T1GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

32A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

MaxSiC

Tipo di package

TO 263-7L

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

47nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Dissipazione di potenza massima Pd

185W

Tensione diretta Vf

4.7V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.5mm

Lunghezza

9.23mm

Larghezza

10.28mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
Il MOSFET a canale N ad alte prestazioni di Vishay è progettato per una conversione efficiente dell'energia in applicazioni impegnative, con funzionalità di commutazione avanzate e caratteristiche operative robuste.

La velocità di commutazione migliora le prestazioni complessive del sistema

Il tempo di resistenza ai cortocircuiti di 3 μs migliora l'affidabilità

La tensione di sorgente gate da -10 a +22 V consente un funzionamento flessibile

La corrente di drenaggio continua di 32 A garantisce un funzionamento efficace

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