MOSFET Vishay, canale Tipo P, 0.0252 Ω, 50 A 80 V, TO-252, Superficie

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Codice RS:
180-7417
Codice costruttore:
SUD50P08-25L-E3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0252Ω

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

160nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW

MOSFET Vishay


Il MOSFET Vishay è un contenitore TO-252-3 a canale P, prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 80V e una tensione gate-source massima di 20V. È dotato di una resistenza drain-source di 25,2 MOhm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 136W. Questo prodotto è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• componente senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Applications


• interruttori adattatori

• interruttori di carico

• PC notebook

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