MOSFET onsemi, canale N, 4,5 mΩ, 128 A, TO-220F, Su foro

Codice RS:: 181-1862
Codice costruttore:: FDPF4D5N10C
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 4,5 mΩ, 128 A, TO-220F, Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 1000)**

2,542 €

(IVA esclusa)

3,101 €

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Unità	Per unità	Per Tubo**
1000 +	2,542 €	2.542,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 181-1862
Codice costruttore:: FDPF4D5N10C
Costruttore:: onsemi

Datasheet

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	128 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	TO-220F
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	37,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.36mm
Larghezza	4.9mm
Carica gate tipica @ Vgs	48 nC a 10 V
Altezza	16.07mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.3V

MOSFET onsemi, canale N, 4,5 mΩ, 128 A, TO-220F, Su foro

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