MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 128 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 181-1862
- Codice costruttore:
- FDPF4D5N10C
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 181-1862
- Codice costruttore:
- FDPF4D5N10C
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 128A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | FDPF | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 37.5W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 48nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Larghezza | 4.9 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 16.07mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 128A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie FDPF | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 37.5W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 48nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Larghezza 4.9 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 16.07mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Questo MOSFET MV canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench® di ON Semiconductor che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.
RDS(ON) max = 4,5 mΩ a VGS = 10 V, ID = 128 A.
Densità Di Potenza E Gate Schermati Densità Di Potenza E Gate Schermati Alta Efficienza / Prestazioni Elevate
Tecnologia Trench ad alte prestazioni per RDS(on) a bassissima resistenza
Elevata densità di potenza con tecnologia con gate schermato
Carica di recupero inverso estremamente bassa, Qrr
Funzione snubber interno contro i picchi di tensione Vds bassa.
Carica gate bassa, QG = 48nC (tip.)
Bassa perdita di commutazione
Elevata capacità di gestione della potenza e della corrente
Qrr/Trr bassi
Prestazioni di recupero graduale
Raddrizzamento sincrono per ATX / server / postazione di lavoro / alimentatore per telecomunicazioni / adattatore e alimentatori industriali.
Azionamenti e gruppi di continuità
Micro inverter solare
Server
Telecomunicazioni
Informatica (ATX, postazione di lavoro, adattatore, alimentatori industriali, ecc.)
Azionamento Del Motore
Gruppi di continuità
Inverter fotovoltaico