MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 128 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 tubo da 800 unità*

2215,20 €

(IVA esclusa)

2702,40 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 15 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
800 +2,769 €2.215,20 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
181-1859
Codice costruttore:
FDP4D5N10C
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

128A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

FDP

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.36mm

Larghezza

4.67 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

15.21mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET MV canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench® di ON Semiconductor che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

RDS(ON) max = 4,5 mΩ a VGS = 10 V, ID = 128 A.

Densità Di Potenza E Gate Schermati Densità Di Potenza E Gate Schermati Alta Efficienza / Prestazioni Elevate

Tecnologia Trench ad alte prestazioni per RDS(on) a bassissima resistenza

Elevata densità di potenza con tecnologia con gate schermato

Carica di recupero inverso estremamente bassa, Qrr

Funzione snubber interno contro i picchi di tensione Vds bassa.

Carica gate bassa, QG = 48nC (tip.)

Bassa perdita di commutazione

Elevata capacità di gestione della potenza e della corrente

Qrr/Trr bassi

Prestazioni di recupero graduale

Raddrizzamento sincrono per ATX / server / postazione di lavoro / alimentatore per telecomunicazioni / adattatore e alimentatori industriali.

Azionamenti e gruppi di continuità

Micro inverter solare

Server

Telecomunicazioni

Informatica (ATX, postazione di lavoro, adattatore, alimentatori industriali, ecc.)

Azionamento Del Motore

Gruppi di continuità

Inverter fotovoltaico

Link consigliati