MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 128 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Codice RS:: 181-1859
Codice costruttore:: FDP4D5N10C
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 128 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Prezzo per 1 tubo da 800 unità*

2215,20 €

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2702,40 €

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Unità	Per unità	Per Tubo*
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*prezzo indicativo

Codice RS:: 181-1859
Codice costruttore:: FDP4D5N10C
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	128A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	FDP
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	4.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	150W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	48nC
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	10.36mm
	Altezza	15.21mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	4.67mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 128A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie FDP
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 150W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 48nC
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 10.36mm
	Altezza 15.21mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 4.67mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

Questo MOSFET MV canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench® di ON Semiconductor che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.

RDS(ON) max = 4,5 mΩ a VGS = 10 V, ID = 128 A.

Densità Di Potenza E Gate Schermati Densità Di Potenza E Gate Schermati Alta Efficienza / Prestazioni Elevate

Tecnologia Trench ad alte prestazioni per RDS(on) a bassissima resistenza

Elevata densità di potenza con tecnologia con gate schermato

Carica di recupero inverso estremamente bassa, Qrr

Funzione snubber interno contro i picchi di tensione Vds bassa.

Carica gate bassa, QG = 48nC (tip.)

Bassa perdita di commutazione

Elevata capacità di gestione della potenza e della corrente

Qrr/Trr bassi

Prestazioni di recupero graduale

Raddrizzamento sincrono per ATX / server / postazione di lavoro / alimentatore per telecomunicazioni / adattatore e alimentatori industriali.

Azionamenti e gruppi di continuità

Micro inverter solare

Server

Telecomunicazioni

Informatica (ATX, postazione di lavoro, adattatore, alimentatori industriali, ecc.)

Azionamento Del Motore

Gruppi di continuità

Inverter fotovoltaico

MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 128 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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