MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 72 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Codice RS:: 165-5802
Codice costruttore:: IRFI4110GPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 72 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

144,60 €

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Codice RS:: 165-5802
Codice costruttore:: IRFI4110GPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	72A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	4.5mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	190nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	61W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	10.75mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	16.13mm
	Larghezza	4.83mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 72A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie HEXFET
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.5mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 190nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 61W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 10.75mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 16.13mm
	Larghezza 4.83mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 72A, dissipazione di potenza massima 61W - IRFI4110GPBF

Questo MOSFET a canale n è progettato per applicazioni ad alte prestazioni e garantisce un'efficiente gestione della corrente e un'elevata tolleranza alla tensione. È essenziale in diversi dispositivi elettronici e garantisce un funzionamento robusto in ambienti difficili. Le sue prestazioni nella commutazione di potenza e nella gestione termica ne fanno un componente preferito nei settori dell'automazione, dell'elettronica e della meccanica.

Caratteristiche e vantaggi

• Capacità di corrente di drenaggio continua di 72A

• Bassa resistenza Rds(on) per una maggiore efficienza operativa

• Modalità di potenziamento per prestazioni efficaci

• Tensione massima di drain-source di 100 V

• Eccellente gestione termica fino a +175°C

• Migliorata la resistenza alle valanghe per una maggiore affidabilità

Applicazioni

• Adatto per il raddrizzamento sincrono ad alta efficienza

• Ideale per i sistemi di continuità

• Compatibile con la commutazione di potenza ad alta velocità

• Utilizzato nei circuiti a commutazione fissa e ad alta frequenza

Qual è la corrente di drenaggio massima continua per la vostra applicazione?

In condizioni ottimali, la corrente di drenaggio continua è stimata a 72A, rendendola adatta alle applicazioni più esigenti.

Qual è il significato della tensione di soglia del gate?

La tensione di soglia del gate varia da 2V a 4V, consentendo un controllo preciso delle caratteristiche di commutazione.

In che modo il MOSFET gestisce le prestazioni termiche?

Ha una temperatura massima di esercizio di +175°C, che favorisce la durata in ambienti ad alta temperatura.

Quali vantaggi offre un basso valore di Rds(on) nelle prestazioni del dispositivo?

La bassa Rds(on) riduce le perdite di potenza durante la commutazione, migliorando l'efficienza complessiva.

Questo prodotto è in grado di gestire circuiti ad alta frequenza?

Sì, è stato progettato specificamente per applicazioni hard-switched e ad alta frequenza, garantendo prestazioni costanti.