MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220AB FP, Su foro

Codice RS:: 165-5802
Codice costruttore:: IRFI4110GPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220AB FP, Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)

1,995 €

(IVA esclusa)

2,434 €

(IVA inclusa)

2303 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

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Unità	Per unità	Per stecca**
50 +	1,995 €	99,75 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-5802
Codice costruttore:: IRFI4110GPBF
Costruttore:: Infineon

IRFI4110GPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	72 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB FP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	61 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.75mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.83mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	190 nC @ 10 V
Altezza	16.13mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220AB FP, Su foro

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon

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