MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 72 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRFI4110GPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-3962
Codice costruttore:
IRFI4110GPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

72A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

190nC

Dissipazione di potenza massima Pd

61W

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

16.13mm

Larghezza

4.83 mm

Lunghezza

10.75mm

Distrelec Product Id

304-44-457

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 72A, dissipazione di potenza massima 61W - IRFI4110GPBF


Questo MOSFET a canale n è progettato per applicazioni ad alte prestazioni e garantisce un'efficiente gestione della corrente e un'elevata tolleranza alla tensione. È essenziale in diversi dispositivi elettronici e garantisce un funzionamento robusto in ambienti difficili. Le sue prestazioni nella commutazione di potenza e nella gestione termica ne fanno un componente preferito nei settori dell'automazione, dell'elettronica e della meccanica.

Caratteristiche e vantaggi


• Capacità di corrente di drenaggio continua di 72A

• Bassa resistenza Rds(on) per una maggiore efficienza operativa

• Modalità di potenziamento per prestazioni efficaci

• Tensione massima di drain-source di 100 V

• Eccellente gestione termica fino a +175°C

• Migliorata la resistenza alle valanghe per una maggiore affidabilità

Applicazioni


• Adatto per il raddrizzamento sincrono ad alta efficienza

• Ideale per i sistemi di continuità

• Compatibile con la commutazione di potenza ad alta velocità

• Utilizzato nei circuiti a commutazione fissa e ad alta frequenza

Qual è la corrente di drenaggio massima continua per la vostra applicazione?


In condizioni ottimali, la corrente di drenaggio continua è stimata a 72A, rendendola adatta alle applicazioni più esigenti.

Qual è il significato della tensione di soglia del gate?


La tensione di soglia del gate varia da 2V a 4V, consentendo un controllo preciso delle caratteristiche di commutazione.

In che modo il MOSFET gestisce le prestazioni termiche?


Ha una temperatura massima di esercizio di +175°C, che favorisce la durata in ambienti ad alta temperatura.

Quali vantaggi offre un basso valore di Rds(on) nelle prestazioni del dispositivo?


La bassa Rds(on) riduce le perdite di potenza durante la commutazione, migliorando l'efficienza complessiva.

Questo prodotto è in grado di gestire circuiti ad alta frequenza?


Sì, è stato progettato specificamente per applicazioni hard-switched e ad alta frequenza, garantendo prestazioni costanti.

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