MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220AB FP, Su foro

Codice RS:: 827-3962
Codice costruttore:: IRFI4110GPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220AB FP, Su foro

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Codice RS:: 827-3962
Codice costruttore:: IRFI4110GPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 72A, dissipazione di potenza massima 61W - IRFI4110GPBF

Questo MOSFET a canale n è progettato per applicazioni ad alte prestazioni e garantisce un'efficiente gestione della corrente e un'elevata tolleranza alla tensione. È essenziale in diversi dispositivi elettronici e garantisce un funzionamento robusto in ambienti difficili. Le sue prestazioni nella commutazione di potenza e nella gestione termica ne fanno un componente preferito nei settori dell'automazione, dell'elettronica e della meccanica.

Caratteristiche e vantaggi

• Capacità di corrente di drenaggio continua di 72A
• Bassa resistenza Rds(on) per una maggiore efficienza operativa
• Modalità di potenziamento per prestazioni efficaci
• Tensione massima di drain-source di 100 V
• Eccellente gestione termica fino a +175°C
• Migliorata la resistenza alle valanghe per una maggiore affidabilità

Applicazioni

• Adatto per il raddrizzamento sincrono ad alta efficienza
• Ideale per i sistemi di continuità
• Compatibile con la commutazione di potenza ad alta velocità
• Utilizzato nei circuiti a commutazione fissa e ad alta frequenza

Qual è la corrente di drenaggio massima continua per la vostra applicazione?

In condizioni ottimali, la corrente di drenaggio continua è stimata a 72A, rendendola adatta alle applicazioni più esigenti.

Qual è il significato della tensione di soglia del gate?

La tensione di soglia del gate varia da 2V a 4V, consentendo un controllo preciso delle caratteristiche di commutazione.

In che modo il MOSFET gestisce le prestazioni termiche?

Ha una temperatura massima di esercizio di +175°C, che favorisce la durata in ambienti ad alta temperatura.

Quali vantaggi offre un basso valore di Rds(on) nelle prestazioni del dispositivo?

La bassa Rds(on) riduce le perdite di potenza durante la commutazione, migliorando l'efficienza complessiva.

Questo prodotto è in grado di gestire circuiti ad alta frequenza?

Sì, è stato progettato specificamente per applicazioni hard-switched e ad alta frequenza, garantendo prestazioni costanti.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	72 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	TO-220AB FP
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	61 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.75mm
Carica gate tipica @ Vgs	190 nC @ 10 V
Larghezza	4.83mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.3V
Altezza	16.13mm