MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220AB FP, Su foro

Codice RS:: 827-3962
Codice costruttore:: IRFI4110GPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220AB FP, Su foro

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Codice RS:: 827-3962
Codice costruttore:: IRFI4110GPBF
Costruttore:: Infineon

IRFI4110GPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	72 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB FP
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	61 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4.83mm
Carica gate tipica @ Vgs	190 nC @ 10 V
Lunghezza	10.75mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	16.13mm

MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 72 A, TO-220AB FP, Su foro

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MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon

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