MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 12 V, 12.5 mΩ Miglioramento, 9.8 A, 6 Pin, UDFN, Superficie

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Codice RS:
182-6884
Codice costruttore:
DMN1008UFDF-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

12V

Tipo di package

UDFN

Serie

DMN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.7W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.58mm

Lunghezza

2.05mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Profilo di 0,6 mm - ideale per applicazioni di basso profilo

Ingombro del circuito stampato di 4mm2

Bassa tensione di soglia del gate

Elevata velocità di commutazione

Completamente senza piombo

Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico

Applicazioni

Applicazione di gestione della batteria

Funzioni di gestione dell'alimentazione

Convertitori cc-cc

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