MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 40 V, 9.5 mΩ Miglioramento, 11.8 A, 6 Pin, UDFN, Superficie
- Codice RS:
- 213-9207
- Codice costruttore:
- DMT4008LFDF-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 213-9207
- Codice costruttore:
- DMT4008LFDF-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | UDFN | |
| Serie | DMT4008LFDF | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 0.6mm | |
| Larghezza | 2 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package UDFN | ||
Serie DMT4008LFDF | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 0.6mm | ||
Larghezza 2 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 2mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET serie DiodesZetex DMT4008LFDF è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo, mantenere eccellenti prestazioni di commutazione che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa tensione di soglia gate
Elevata velocità di commutazione
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