MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 25 mΩ Miglioramento, 6.5 A, 6 Pin, UDFN, Superficie
- Codice RS:
- 222-2878
- Codice costruttore:
- DMT6030LFCL-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,135 € | 405,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-2878
- Codice costruttore:
- DMT6030LFCL-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | UDFN | |
| Serie | DMT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 25mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.58W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 0.575 mm | |
| Lunghezza | 1.6mm | |
| Altezza | 1.6mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package UDFN | ||
Serie DMT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 25mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.58W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 0.575 mm | ||
Lunghezza 1.6mm | ||
Altezza 1.6mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa resistenza in stato attivo
Ingombro del circuito stampato di 2,56 mm2
Completamente senza piombo e completamente conforme alla direttiva RoHS
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