MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 60 V, 27 mΩ Miglioramento, 11.1 A, 6 Pin, UDFN, Superficie DMT6016LFDF-7
- Codice RS:
- 921-1170
- Codice costruttore:
- DMT6016LFDF-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 confezione da 20 unità*
7,98 €
(IVA esclusa)
9,74 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 14.860 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 + | 0,399 € | 7,98 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 921-1170
- Codice costruttore:
- DMT6016LFDF-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | DMT6016LFDF | |
| Tipo di package | UDFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 27mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 17nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.9W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.7V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 2.05mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 2.05 mm | |
| Altezza | 0.58mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie DMT6016LFDF | ||
Tipo di package UDFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 27mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.9W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.7V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 2.05mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 2.05 mm | ||
Altezza 0.58mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex 27 mΩ1 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 50 mΩ U-DFN2020, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 23 mΩ5 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 50 mΩ4 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 50 mΩ U-DFN2020, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 18 12 U-DFN2020, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 41 mΩ U-DFN2020, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 35 mΩ2 A Montaggio superficiale
