MOSFET DiodesZetex, canale N, 27 mΩ, 11,1 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

Codice RS:: 921-1170
Codice costruttore:: DMT6016LFDF-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 27 mΩ, 11,1 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 921-1170
Codice costruttore:: DMT6016LFDF-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMT6016LFDF, 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	11,1 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	U-DFN2020
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	27 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1,9 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	17 nC a 10 V
Lunghezza	2.05mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	2.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	0.58mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 27 mΩ, 11,1 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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