MOSFET DiodesZetex, canale N 40 V, 9.5 mΩ Miglioramento, 11.8 A, 6 Pin, UDFN, Superficie DMT4008LFDF-7
- Codice RS:
- 213-9208
- Codice costruttore:
- DMT4008LFDF-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 213-9208
- Codice costruttore:
- DMT4008LFDF-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | UDFN | |
| Serie | DMT4008LFDF | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 600μm | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Larghezza | 2mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package UDFN | ||
Serie DMT4008LFDF | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 600μm | ||
Lunghezza 2mm | ||
Larghezza 2mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET serie DiodesZetex DMT4008LFDF è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo, mantenere eccellenti prestazioni di commutazione che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa tensione di soglia gate
Elevata velocità di commutazione
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