MOSFET DiodesZetex, canale N, 23 mΩ, 11,5 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

Codice RS:: 921-1164
Codice costruttore:: DMT5015LFDF-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 23 mΩ, 11,5 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 921-1164
Codice costruttore:: DMT5015LFDF-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMT5015LFDF, 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	11,5 A
Tensione massima drain source	50 V
Tipo di package	U-DFN2020
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	23 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	0.5V
Dissipazione di potenza massima	1,97 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	2.05mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	2.05mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	14 nC a 10 V
Altezza	0.58mm
Tensione diretta del diodo	1V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 23 mΩ, 11,5 A, U-DFN2020, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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