MOSFET DiodesZetex, canale P, 6 mΩ, 21 A, PowerDI5060-8, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 182-6918
- Codice costruttore:
- DMP34M4SPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)
0,413 €
(IVA esclusa)
0,504 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,413 € | 1.032,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 182-6918
- Codice costruttore:
- DMP34M4SPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
Questo MOSFET di nuova generazione è stato progettato per ridurre RDS(ON) e, allo stesso tempo, mantenere eccellenti prestazioni di commutazione. Questo dispositivo è ideale per l'uso nella gestione di alimentazione batteria in notebook e interruttore di carico.
Interruttore induttivo sbloccato al 100% (UIS) Test in produzione
Applicazioni di esecuzione del refrigeratore - contenitore a efficienza termica
Elevata efficienza di conversione
Bassa RDS(ON) - riduce le perdite in stato attivo
Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico
Applicazione
Interruttore
Applicazioni di esecuzione del refrigeratore - contenitore a efficienza termica
Elevata efficienza di conversione
Bassa RDS(ON) - riduce le perdite in stato attivo
Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico
Applicazione
Interruttore
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | P |
| Corrente massima continuativa di drain | 21 A |
| Tensione massima drain source | 30 V |
| Tipo di package | PowerDI5060-8 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 8 |
| Resistenza massima drain source | 6 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 2.6V |
| Tensione di soglia gate minima | 1.6V |
| Dissipazione di potenza massima | 3 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | ±25 V |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Larghezza | 5.1mm |
| Lunghezza | 6mm |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Carica gate tipica @ Vgs | 127 nC a 10V |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Tensione diretta del diodo | 1.2V |
| Altezza | 1.05mm |
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