MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 30 V, 3.75 mΩ Miglioramento, 37 A, 8 Pin, PowerDI5060, Superficie
- Codice RS:
- 206-0125
- Codice costruttore:
- DMP32M6SPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
2097,50 €
(IVA esclusa)
2560,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 2500 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,839 € | 2.097,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 206-0125
- Codice costruttore:
- DMP32M6SPS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 37A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | DMP32 | |
| Tipo di package | PowerDI5060 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.75mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.3W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 158nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.15 mm | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 37A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie DMP32 | ||
Tipo di package PowerDI5060 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.75mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.3W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 158nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.15 mm | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Altezza 0.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale P a 8 pin DiodesZetex 30V è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è 20V con dissipazione di potenza termica di 1,3 W.
Elevata efficienza di conversione
Bassa RDS(ON) - riduce le perdite in stato attivo
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex 0 37 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0.014 Ω PowerDI5060-8, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 50 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0.025 Ω PowerDI5060-8, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 11 76 A. Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 0 11 A PowerDI5060-8, Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 100 A, PowerDI5060-8
- MOSFET DiodesZetex 12 PowerDI5060-8
