MOSFET DiodesZetex, canale P, 21 Ω, 600 mA, SOT-223, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 182-6920
- Codice costruttore:
- DMP45H21DHE-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)
0,203 €
(IVA esclusa)
0,248 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,203 € | 507,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 182-6920
- Codice costruttore:
- DMP45H21DHE-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
Questa MOSFET a modalità potenziata canale P da 450 V fornisce agli utenti una caratteristica competitiva offrendo una efficiente capacità di gestione dell'alimentazione, alta impedenza ed è privo di instabilità termica e scarica secondaria indotta termicamente. Le applicazioni che traggono vantaggio da questo dispositivo includono una varietà di telecomunicazioni e circuiti di commutazione ad alta tensione per impieghi generali.
Basso stadio pilota
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
Completamente senza piombo
Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico
Applicazioni
Commutazione dei carichi
Alimentatore continuo
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
Completamente senza piombo
Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico
Applicazioni
Commutazione dei carichi
Alimentatore continuo
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | P |
| Corrente massima continuativa di drain | 600 mA |
| Tensione massima drain source | 450 V |
| Tipo di package | SOT-223 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 21 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 5V |
| Tensione di soglia gate minima | 3V |
| Dissipazione di potenza massima | 12,5 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | ±30 V |
| Larghezza | 3.55mm |
| Lunghezza | 6.55mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Carica gate tipica @ Vgs | 4,2 nC a 10V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Tensione diretta del diodo | 1.2V |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Altezza | 1.65mm |
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