MOSFET DiodesZetex, canale Tipo P 20 V, 40 mΩ Miglioramento, 7.4 A, 8 Pin, TSSOP, Superficie DMP2021UTS-13
- Codice RS:
- 182-7357
- Codice costruttore:
- DMP2021UTS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,548 € | 5,48 € |
| 100 - 490 | 0,438 € | 4,38 € |
| 500 - 990 | 0,40 € | 4,00 € |
| 1000 - 1990 | 0,338 € | 3,38 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 182-7357
- Codice costruttore:
- DMP2021UTS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Tipo di package | TSSOP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 40mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.3W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 59nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 4.5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.02mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie DMP | ||
Tipo di package TSSOP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 40mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.3W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 59nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 4.5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.02mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Questo MOSFET è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa tensione di soglia del gate
Bassa resistenza in stato attivo
Gate con protezione ESD
Applicazioni
Applicazione di gestione della batteria
Funzioni di gestione dell'alimentazione
Convertitori cc-cc
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