MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 30 V, 50 mΩ Miglioramento, 15 A, 8 Pin, TSSOP, Superficie DMN3020UTS-13
- Codice RS:
- 182-7013
- Codice costruttore:
- DMN3020UTS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 confezione da 25 unità*
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- Codice RS:
- 182-7013
- Codice costruttore:
- DMN3020UTS-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 15A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | DMN | |
| Tipo di package | TSSOP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 50mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.4W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 4.5mm | |
| Altezza | 1.02mm | |
| Larghezza | 3.1 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 15A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie DMN | ||
Tipo di package TSSOP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 50mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 27nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.4W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 4.5mm | ||
Altezza 1.02mm | ||
Larghezza 3.1 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Questo MOSFET è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa tensione di soglia gate, bassa resistenza in stato attivo, applicazioni gate con protezione ESD applicazioni di gestione della batteria funzioni di gestione dell'alimentazione convertitori CC-CC
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