2 MOSFET DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, 16.5 mΩ, 8.6 A 20 V, TSSOP, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
122-2875
Codice costruttore:
DMN2016UTS-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

TSSOP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

16.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.5nC

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

880mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Tensione diretta Vf

0.65V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Altezza

1.025mm

Standard/Approvazioni

J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101

Larghezza

3.1 mm

Lunghezza

4.5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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