MOSFET DiodesZetex, canale N, 16,5 mΩ, 8,6 A, TSSOP, Montaggio superficiale

Codice RS:: 822-2542
Codice costruttore:: DMN2016UTS-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 16,5 mΩ, 8,6 A, TSSOP, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 822-2542
Codice costruttore:: DMN2016UTS-13
Costruttore:: DiodesZetex

DMN2016UTS-13 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Data Sheet
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	8,6 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	TSSOP
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	16,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Dissipazione di potenza massima	880 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Larghezza	3.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	16,5 nC a 4,5 V
Lunghezza	4.5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.025mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 16,5 mΩ, 8,6 A, TSSOP, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.

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