MOSFET DiodesZetex, canale P, 145 mΩ, 2,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 182-7363
- Codice costruttore:
- DMP3125L-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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Prezzo per 1pz in confezione da 100
0,215 €
(IVA esclusa)
0,262 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | 0,215 € | 21,50 € |
| 200 - 400 | 0,193 € | 19,30 € |
| 500 - 900 | 0,188 € | 18,80 € |
| 1000 - 1900 | 0,183 € | 18,30 € |
| 2000 + | 0,178 € | 17,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 182-7363
- Codice costruttore:
- DMP3125L-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
Questo MOSFET è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, pertanto è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa dispersione di ingresso/uscita
Completamente senza piombo
Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico
Applicazioni
Interruttore di incremento
Funzioni di gestione dell'alimentazione
Interruttore analogico
Interruttore di carico
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa dispersione di ingresso/uscita
Completamente senza piombo
Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico
Applicazioni
Interruttore di incremento
Funzioni di gestione dell'alimentazione
Interruttore analogico
Interruttore di carico
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | P |
| Corrente massima continuativa di drain | 2,5 A |
| Tensione massima drain source | 30 V |
| Tipo di package | SOT-23 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 145 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 2.1V |
| Tensione di soglia gate minima | 1V |
| Dissipazione di potenza massima | 1,2 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | ±20 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Carica gate tipica @ Vgs | 3,1 nC a 4,5V |
| Lunghezza | 3mm |
| Larghezza | 1.4mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Altezza | 1mm |
| Tensione diretta del diodo | 1.2V |
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