2 Piccolo segnale onsemi Duale, canale Tipo N, 440 mΩ, 910 mA 20 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin NTJD4401NT1G
- Codice RS:
- 184-1229
- Codice costruttore:
- NTJD4401NT1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 184-1229
- Codice costruttore:
- NTJD4401NT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Piccolo segnale | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 910mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SC-88 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 440mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 550mW | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.76V | |
| Minima temperatura operativa | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | -55°C | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Piccolo segnale | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 910mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SC-88 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 440mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 550mW | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.3nC | ||
Tensione diretta Vf 0.76V | ||
Minima temperatura operativa 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento -55°C | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Questo dispositivo doppio a canale N è stato progettato con un contenitore di ingombro ridotto (2x2 mm) con il processo planare leader DI ON Semiconductor per un ingombro ridotto e una maggiore efficienza. La bassa cifra di merito è particolarmente adatta per dispositivi alimentati a batteria li-Ion a cella singola o doppia, quali telefoni cellulari, lettori multimediali, fotocamere digitali e PDA.
Ingombro ridotto (2 x 2 mm)
Dispositivo Canale N Con Carica Gate Bassa
Gate con protezione ESD
Stesso pacchetto di SC-70 (6 Derivazioni)
Applicazioni:
Commutazione Della Potenza Di Carico
Dispositivi In Dotazione Con Batteria Agli Ioni Di Litio
Conversione CC-CC
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