MOSFET onsemi, canale N, 2,5 Ω, 250 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 780-0608
Codice costruttore:: NTJD4001NT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 2,5 Ω, 250 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 780-0608
Codice costruttore:: NTJD4001NT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	250 mA
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	2,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	2,72 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.2mm
Carica gate tipica @ Vgs	0,9 nC a 5 V
Larghezza	1.35mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET onsemi, canale N, 2,5 Ω, 250 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale doppio N, ON Semiconductor

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